就是愛廣告(特賣會)JustAD

(一)公司簡介

1.沿革與背景

台積電成立於1987年2月21日，是全球第一家也是全球最大的專業積體電路(IC)製造服務公司，公司經營策略為只提供客戶專業積體電路之製造技術服務，而不設計、生產、或銷售自有品牌產品，不與客戶做商品之競爭。

公司在北美、歐洲、日本、中國大陸、南韓、印度等地均設有子公司或辦事處，產能亦來自海外子公司為WaferTech美國子公司、台積電（上海）有限公司，及新加坡合資SSMC公司之支援。

公司首創建置資訊平台—虛擬晶圓廠(Virtual Fab)，提供整套服務，客戶也可從晶圓廠、封裝廠、到測試廠整個供應鏈掌握訂單進度。

2.營業項目與產品結構

業務範圍涵蓋IC製造服務及其相關項目，提供包括晶圓製造、光罩製作、晶圓測試與錫鉛凸塊封裝及測試等客戶支援服務。

晶圓代工服務，包括一般邏輯製程技術、非揮發性嵌入式記憶體(Embedded Non-volatile Memory)製程、嵌入式動態隨機存取記憶體(Embedded DRAM)製程、混合訊號／射頻(Mixed Signal/RF)製程、高壓(High Voltage)製程、互補金屬氧化物半導體影像感應器(CMOS Image Sensor)、彩色濾光片(Color Filter)、微機電系統(MEMS)、矽鍺(Silicon Germanium)製程等。

先進製程發展上，於2002年，在十二廠完成十二吋支持90奈米(nm)研發試產線；2007年，公司為全球第一家導入45nm量產之晶圓代工廠。至2009年第四季，來自於65nm及其他更先進製程佔營收達39%。

2011年Q4各製程佔營收比重，90nm製程佔營收比重8%，65nm製程佔30%，40nm以下製程為27%、0.11/0.13um佔7%、 0.15/0.18um佔17%、0.25/0.35um佔7%，28nm製程佔營收比重升至2%。至2012年Q1，40nm以下製程為32%、 65nm製程佔26%、90nm製程佔營收比重8%，其他製程為34%。

終端應用營收比重，2011年Q4電腦相關產品佔20%、通訊相關產品佔53%、消費性電子產品佔9%、工業用等其他佔18%。2012年Q1應用比重為：電腦相關產品佔22%、通訊相關產品佔48%、消費性電子產品佔10%、工業用等其他佔20%。

2012年Q1，28奈米約佔營收比重5％，至2012年底占營收比重可達20％。

2012年Q2各製程佔營收比重，28nm約佔7%、40nm以下製程為28%、65nm製程佔26%、90nm製程佔10%。按產品應用：電腦相關約佔21%、通訊相關約佔48%、消費性電子約佔9%、工業及標準性IC約佔22%。

2012年Q3各製程佔營收比重，28nm約佔13%、40nm以下製程為27%、65nm製程佔22%、90nm製程佔9%。預計2012年Q4，28nm將突破20％，2013年提升至30％以上。

產品圖來源，公司網址 http://www.tsmc.com/

(二)產品與競爭條件

1.產品與技術簡介

台積電在技術及產能均居產業領導地位，是全球第一家有能力量產40 nm以下技術的晶圓代工廠，其40 nm規模與良率優於同業，40 nm佔全球8～9成市佔，28/20  nm生產時程至少領先同業三季以上。
2011年將持續投入20/28nm及以下的先進製程、special technology(包括Embedded Flash、CMOSSensor/BSI、3D IC)研發，至2011年4月，有89項28nm產品開始Tape-out並量產，2011年28奈米市佔率達100％。

2011年10月，完成首件採用20奈米製程技術生產的ARM Cortex-A15 處理器設計定案(Tape Out)。

佈局3D IC的矽穿孔(TSV)製程，計畫以CoWoS(Chip on Wafer on Substrate)製程模式生產，即將邏輯晶片和DRAM放在矽中介層(interposer)上面，然後封裝在基板上，公司要提供全套服務，包括下游封裝測試。整套流程包括，整合晶圓鍵合(Wafer Bonding)、薄晶圓(Wafer Thinning)、晶片基板鍵合(Chip on Substrate)及晶片封測等技術，將各種邏輯和記憶體晶片精準疊合。

2012年10月，CoWoS測試晶片成功地整合Wide I/O介面將邏輯系統單晶片與動態隨機存取記憶體結合於單一模組，在晶片成品製造完成之前，公司的CoWoSTM技術透過將晶片堆疊於晶圓之上(Chip on Wafer)的封裝技術，提供客戶前端晶圓製造服務，藉由搭配Wide I/O行動動態隨機存取記憶體介面，使這顆整合晶片可提供優化的系統效能，更小的產品外觀尺寸，並且明顯改善晶片之間的傳輸頻寬。此次合作夥伴結合SK Hynix公司提供Wide I/O動態隨機存取記憶體、Cadence公司支援Wide I/O行動動態隨機存取記憶體矽智財、益華（Cadence）公司與明導國際（MentorGraphics）公司提供電子設計自動化工具。

2.重要原物料及相關供應商

IC製造從矽晶圓開始，經過一連串製程步驟，包括光學顯影、快速高溫製程、化學氣相沉積、離子植入、蝕刻、化學機械研磨等製程，需要原物料包括矽晶片、製程用化學原料、光阻、氣體，以及研磨液、研磨墊與鑽石碟等。

公司主要原料供應商如下：
矽晶片—F.S.T.、MEMC、S.E.H. 、Siltronic、SUMCO
製程用化學原料—Air Products、ATMI、BASF、Dow、MGC、TYS
光阻—AZ、Nissan、Shin-Etsu Chemical、Sumitomo、T.O.K.
氣體—Air Products、Linde、Taiyo Nippon Sanso
研磨液、研磨墊、鑽石碟—3M、Cabot、DA Nano、中砂、Planar Solutions、Dow

3.產能狀況與生產能力

生產基地，在台灣設有2座先進的十二吋超大型晶圓廠 (fab 12 & 14)、4座八吋晶圓廠 (fab 3, 5, 6 & 8) 和1座六吋晶圓廠 (fab 2)，並擁有二家海外子公司：WaferTech 美國子公司、台積電(中國)，以及新加坡(與NXP合資)SSMC公司之八吋晶圓廠產能支援。全球總部以及晶圓二廠、三廠、五廠、八廠及十二廠皆位於台灣新竹科學園區；晶圓六廠及十四廠則位於台灣台南科學園區），大陸廠則位於上海松江。

2010年，總產能1132.9萬片約當八吋晶圓，YOY成長13.8%；全年產能利用率達102.5％，高於2009年的78％。

2011年，總產能1322.1萬片約當八吋晶圓，YOY成長17％，其中12吋的產能年增約29%；於第三季，產能利用率低於100%。

台積電12吋晶圓廠產能：

資料來源：台積電

28nm於Fab15廠生產，至2012年底月產能達2.4萬片(約當12吋晶圓)，其中LP、HP、HPL製程於2011年Q3進入量產，而HPM製程於2011年底量產。

2012年4月，南科Fab 14第五期廠房動土，計畫生產20奈米及更先進製程，預計年底或2013年初量產，屆時將新增3萬片12吋晶圓月產能。至2012年，第二季12吋晶圓總月產能突破30萬片，到2012年底，公司12吋晶圓總月產能挑戰40萬片。
至2012年Q4，Fab 15是28奈米最大產能供應地，產能規劃提升至13.5萬片/月。另外竹科Fab12、南科Fab14新廠區也陸續建置完成新的28奈米生產線，並陸續投入量產。

資本支出

公司2010年資本支出增加到59 億美元，佔整體產業的46%，其中79%用於先進製程、13%提供成熟製程使用，8%為研發支出，並提撥1億美元用於太陽能與LED新事業上。

因擴產放緩，2011年資本支出從原先78億美元，下修至74億美元，81%用來建置65、40及28nm製程產能，而81%中的9%將用來投入20及14nm的研發，72%投入65、40及28 nm製程技術，剩餘部份投入特殊製程。

2012年資本支出從原本60億美元調高至83億美元，增加的資本支出中13-15億美元用於擴充28奈米製程，7億美元用於20奈米期初資本投入，2億美元則用在Embedded Flash 及BSI，另有1億美元將用於後段封裝。

2013年資本支出約83億美元。

4.新產品與新技術
2010年4月，公司宣佈跳過22nm製程，直接發展20nm製程，2012年下半年起開始20nm製程技術進行試產工作，以平面製程(planar process)為基礎，並採用高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)、第五代創新應變矽(strained silicon)以及超低介電值銅導線等技術。跳過22nm製程，直接導入20nm製程技術，主因於20nm製程技術的閘密度、晶片效能與成本比，較22nm更具成本優勢，台積電的微影技術也跨入下一世代，與Mapper合作無光罩多重電子束微影技術，以及與ASML合作的極紫外光（EUV）微影技術等。

公司規劃2018年量產18吋晶圓，屆時導入的技術將以10奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程為主，希望可以導入新一代的微影技術，除極紫外光(EUV)方案外，多重電子束(Multi E-Beam)也是考慮之一。

(1)未來主要研發計劃：

2011年2月，啟動18吋晶圓廠投資，計畫2013年導入試產線，2015年以20nm量產，為繼英特爾之後為全球第二家投資18吋晶圓廠。

2011年Q2，28奈米製程開始進入量產，包括可程式邏輯閘陣列(FPGA)雙雄Xilinx及Altera，以及AMD的28奈米繪圖晶片Southern Islands開始投片。

20nmG製程(高效能)於2012年第三季開始量產，20nmC製程(低漏、高效能)於2013年6月量產。

因為嵌入式Flash MCU持續成長，且隨ARM架構Cortex系列處理器發展、行動終端裝置走向輕薄化，公司於2013年量產CoWos模型，以整合TSV與Silicon Interposer，並與晶圓代工業務結合。

(2)看好綠能發展，公司也開始佈局發展太陽能與LED兩項新事業：

太陽能方面：

2009年12月，入股結晶矽太陽能電池茂迪，成為最大股東；2010年6月，入股薄膜太陽能電池廠Stion，取得CIGS(銅銦鉀硒)製程技術，Stion授權並移轉其CIGS薄膜製程給台積電，同時公司提供太陽能電池模組給Stion。

在太陽能領域，公司同時發展結晶矽與薄膜太陽能電池。

2011年4月，將太陽能事業獨立分割為新公司-台積太陽能股份有限公司，基準日為8/1。

LED方面：

2008年投資美國LED磊晶大廠普瑞光電(BridgeLux)，BridgeLux開發出氮化鎵上矽 (GaN-On-Silicon)之LED技術，達每瓦135流明，為矽基板LED業界第一家具商品化等級效能的廠商。

2010年3月，在新竹科學園區成立LED照明研發中心。公司以半導體的製造能力，進行LED照明技術、製程、封裝與測試的研發與整合，2011年起並將率先以LED光源(Light Source)以及LED光引擎(Light Engine)等產品切入市場。

2011年4月，將LED事業獨立分割為新公司-台積固態照明股份有限公司，基準日為8/1。

(三)市場需求與銷售競爭

1.產業結構與供需

IC產業鏈由上而下為設計、製造、封裝及測試，提供晶圓製造服務包括整合元件廠(IDM)及專業晶圓代工(Foundry)，其中IDM業務涵蓋IC設計、製造、封裝和測試整個流程；Foundry如台積電，僅從事IC製造之專業分工。

因為先進製程需要不斷投入資本並且因成本考量，IDM廠陸續將製造與後段封測等製程委外，大多IDM廠逐漸轉型成Fabless(無晶圓廠)經營型態，或Fablite(輕晶圓)趨勢。

IC Insights統計，2011年半導體製造商的資本支出超過590.7億美元，YoY成長15%。未來 2011-2014年，45/32nm將取代65/90nm為主流製程，但45/32nm資本支出投資龐大，以一座月產能100K的28nm廠房，需要 100億美元、研發成本14億美元，未來僅有大型晶圓代工廠，及IDM廠的Intel、Samsung、STM、Panasonic等廠商，有投資擴廠計畫。

受到IDM廠委外代工的趨勢，以晶圓代工產值按客戶型態之比重，Fables與IDM各佔7：3，自2009年起擴大到8：2，2010年IDM長期外包比重超過2成，IDM廠對12吋產能需求持續提升，也是未來主要委外的部分。

在晶圓代工領域，全球前四大包括台積電、聯電、GF(Global Foundries)和中芯國際，即佔7成的營收比重，顯示產業為寡占市場。

2009年，全球半導體市場的產值估計約為2,260億美元，YoY下降9%。根據市場研究機構IC Insights的調查，2009年整體IC製造產值約為220億美元，YoY下滑11%，而專業晶圓代工產值約為190億美元，分別佔半導體產值的 8%，佔IC製造產值為86％。2010年全球半導體產值為3000億美元，YoY成長30%，而全球晶圓代工產值則YoY成長40%，2011年全球晶圓代工產值下修為成長7%。
據IHS iSuppli統計，2012年全球晶圓代工業務將達296億美元，較2011年成長12%。
根據IEK統計，2009年台灣晶圓代工產業佔全球市佔率達71％，在90nm以下高階製程市佔高達90％。

2.銷售狀況

台積電客戶以Fabless佔80%、IDM廠佔20%，前5大客戶為Qualcomm、NVIDIA、TI、Marvell、ADI等。

公司28奈米市佔率為100%，主要客戶有Altera及Xilinx、Nvidia、AMD和Qualcomm。

就銷售區域分，北美地區佔70%、亞太13%、歐洲10%、日本4%、中國大陸3%。

3.國內外競爭廠商

全球前十大晶圓代工廠，以2009年市佔，包含龍頭台積電(45%)、聯電(14%)、全球半導體(Global Foundries) (+特許佔13%)、中芯半導體(5%)、IBM(1.9%)、世界先進(1.9%)、Dongbu HiTek(1.8%)與Samsung(1.4%)。

台積電為全球第一大，就先進製程上，根據Gartner調查，2010年全球45/40nm市佔率：台積電(91%)、聯電(4%)、GF(2%)及Samsung(2%)；65nm市佔率：台積電(64%)、聯電(15%)、GF(19%)及Samsung(5%)。

聯電排名全球第二，2011年資本支出金額為18億美元，將投入28nm及20nm技術，28nm年中試產。

GlobalFoundries是從AMD分拆出來的，並且合併特許(Chartered) 半導體後，成為全球第3大專業晶圓代工廠，GF在先進製程已追上聯電。

潛在的競爭者是Samsung，2010年資本支出96億美元，高於台積電與Intel，2011年資本支出為92億美元仍為第一。

(四)財務相關

1.主要轉投資事業

(1)晶圓代工方面，包括持股38％世界先進與SSMC，SSMC是NXP和台積電在新加坡合資的8吋晶圓廠，台積電持股40%，NXP為60%。還有轉投資美國子公司-WaferTech。

(2)創意：提供IP設計服務，持股35％。

(3)采鈺：提供CMOS影像感測晶片測試業務，並於2007年跨入LED矽基封裝。

(4)精材：提供晶圓級晶片尺寸封裝技術(WLCSP)封裝。

(5)普瑞光電(BridgeLux)：為美國LED磊晶大廠，於2008年投資。

(6)茂迪：2009年12月，台積電與茂迪簽署認股結盟合約，正式入股太陽能電池大廠茂迪，以認購茂迪公司私募發行之普通股新股共7,532萬股，認購之總金額約62億元(約美金1.93億元)，掌握茂迪二成持股成為該公司最大股東。

(7)Stion：2010年6月，宣布旗下VentureTech Alliance公司投資美商Stion公司5000萬美元(折合新台幣約16億元)，並持有該公司約21%的股份，取得薄膜CIGS製程技術，雙方並在技術授權、生產供應以及合作開發方面簽訂協議。

2011年4月，公司將太陽能與LED事業，分別獨立分割為新公司-台積太陽能股份有限公司、台積固態照明股份有限公司，基準日為8/1。
2012年8月5日公司公告將投資8.38億歐元取得ASML5%的股權，並在未來5年投資2.76億歐元來支持ASML對先進製程的研發。

全文網址: http://www.moneydj.com/KMDJ/Wiki/wikiViewer.aspx?keyid=8610ea86-6588-4369-9852-7bc97baeb4d4#ixzz2Cm2Y8TmD
MoneyDJ 財經知識庫